2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024)在中国深圳坪山格兰云天国际酒店隆重闭幕。
中科汇珠总经理、首席技术官杨军伟博士受邀出席本次大会并做”液相法3C-SiC衬底同质外延的应用与研究”的演讲报告，旨在阐明液相法技术的先进性及对应市场需求的紧迫性。
演讲围绕液相法3C-SiC衬底同质外延展开了相关材料应用和性能研究的介绍。报告提到，液相法碳化硅单晶生长技术是一项革新的技术。其与传统PVT法相比，具有低制造成本、低晶体缺陷密度、低应力以及可生长多元化材料等优点。目前，通过液相法生长已获得高质量3C-SiC单晶材料，其可以解决现阶段4H-SiC MOSFET沟道迁移率低、栅氧界面态密度高等瓶颈问题。3C-SiC材料有望大幅提升MOSFET器件的可靠性和稳定性，推动SiC器件大规模商业化应用。
杨军伟博士重点介绍了中科汇珠在基于液相法3C-SiC单晶衬底上的外延工艺开发以及材料性能验证成果，表示目前公司已具备生长基于液相法衬底的高质量同质外延片的技术能力，且从实验上证明了3C-SiC的栅氧界面态密度比4H-SiC至少低一个数量级。此外，杨军伟博士对公司的产品也做了介绍，表示公司目前可以为客户提供多样化材料需求的产品服务，其中核心产品之一即为基于液相法衬底的同质外延片，包括p型4H-SiC及3C-SiC材料。公司期待与更多的客户进行深入合作，共同开拓SiC产业的美好未来。
亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM）自2018年在中国北京举办首届会议以来，已经成功举办五届，本届会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，旨在聚焦宽禁带半导体（SiC、GaN、Ga2O3、AlN、金刚石等）相关材料、器件及前沿应用，共同探讨宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态，为全球宽禁带半导体领域发展贡献智慧与力量，闭幕式现场颁发了优秀海报奖和最佳奉献奖，中科汇珠有幸荣获会务组颁发的”最佳贡献奖“。
转载来源：中科汇珠
