粤升设备融合二十余年的SiC晶体工艺经验打造，给您提供高质量、低成本的SiC单晶。

设备名称：液相法SiC单晶炉

设备型号：YS-C08S01

设备尺寸：L1800×W1400×H3750mm

适用工艺：LPE法（兼容PVT法）

长晶尺寸：6吋兼容8吋

籽晶/坩埚升降行程：200mm

籽晶/坩埚旋转速度范围：0-180rpm

最高加热温度：800~2200℃

液相法SiC长晶特点：

● 生长的晶体质量高，缺陷少，没有微管类缺陷，晶体应力低；

● 可生长n型、p型SiC单晶晶锭，也可生长3C-SiC；

● 生长过程对温场影响小，工艺稳定性好；

● 不需预合成SiC粉原料，生长成本低；

● 生长温度低，能耗低。