粤升设备打造的SiC外延炉，具备高质量、高稳定性外延片生产能力，充分满足您对优越材料性能的追求。

设备名称：SiC外延炉

设备型号：YS-E08S01

设备功能：CVD法生长SiC同质外延

衬底尺寸：6吋兼容8吋

片内厚度不均匀性：＜2%

片内掺杂浓度不均匀性：＜5%

形貌缺陷密度：＜1个/cm²

●  具备n、p型及高速率的外延生长能力；

●  RUN TO RUN性能优异；

●  高均匀性、低缺陷的SiC外延质量；

●  供液一体化系统 。