中科汇珠的主要产品为碳化硅外延片，可用于制作中高压SiC功率器件，包括SBD/JBS、MOSFET 、PiN等。
目前公司已成熟掌握自主研发的碳化硅外延核心关键技术，产品通过下游器件厂商的多轮流片验证，质量和性能均获得了客户的高度认可，已具备碳化硅外延的量产能力。
中科汇珠协同国内顶级衬底资源，致力于为客户提供优质的外延片生长服务，一文带您了解中科汇珠特色外延产品。
产品一：基于传统n型4H-SiC衬底的外延片
亮点介绍：
中科汇珠已掌握高质量SiC外延片的量产关键技术，外延片的膜厚和载流子浓度面内及片间均匀性已达到国内一流水平，缺陷控制技术比肩国内外主流外延厂商。
对于外延片两个关键参数厚度和载流子浓度，目前n型4H-SiC衬底的外延片批量工艺水平如下：面内厚度均匀性≤3%，面内载流子浓度均匀性≤5%，厚度容差为±6%，浓度容差为±10%。
中科汇珠自2021年以来陆续通过了4吋650V/10A规格肖特基二极管（SBD）、6吋650V/60mW规格金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、6吋1200V/30A规格SBD以及6吋1200V/26mW规格MOSFET的流片验证，良率比肩国内一流水平，量产SiC外延片的质量获得了下游头部器件厂商的高度认可。
4/6吋外延片规格参数
中科汇珠6吋外延片
产品二：基于液相法4H-SiC和3C-SiC的外延片
传统PVT法无法制备高质量低阻p型（掺Al）4H-SiC和3C-SiC衬底，而液相法已突破相应制备技术，将此前遥不可及的器件制造变得触手可及。
p型SiC衬底主要应用于制造n沟道IGBT器件，该类器件在轨道交通和电网等领域具有重要的应用价值。得益于高沟道迁移率，在1200V以下耐压规格3C-SiC基MOSFET拥有极好的性能优势，尤其是其很低的沟道电阻和极高的栅氧稳定性，使其可以兼顾导通电阻和器件可靠性，因此在车规级应用上有巨大应用前景。
晶格领域采用液相法生长的4吋晶锭及衬底。其中，a和b分别为液相法生长的p型4H-SiC和n型3C-SiC晶锭， c为加工后的3C-SiC衬底。
液相法产品描述一
衬底类型:n型3C-SiC
标准尺寸:4吋/6吋
外延层:n型或p型均可
主要应用
各种二极管高性能平面及沟槽MOSFET、SiC基高温集成电路等
4吋 N型3C-SiC同质外延片
衬底类型: p型4H-SiC
标准尺寸: 4吋/6吋
外延层: n型或p型
来源：中科汇珠
声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，粤升设备转载仅为了传递更多信息之目的。若有来源标注错误或者侵犯了您的合法权益，请作者持权属证明与本网联系，我们将及时更正、删除，谢谢。
